Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1

Datasheet для MJE5852G (ONS)

В корзину Наименование
Производитель
Описание Цена, руб. Наличие В корзину
MJE5850G
On Semiconductor
Арт:435794
ИНФО PDF
Биполярный транзистор общего назначения По запросу
Нет на складе
Еще предложения
Купить
MJE5851G
On Semiconductor
Арт:435795
ИНФО PDF
Биполярный транзистор общего назначения По запросу
Нет на складе
Еще предложения
Купить
MJE5852G
On Semiconductor
Арт:206820
ИНФО PDF
TRANSISTOR, PNP, TO-220AB; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:400V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:2V; Power Dissipation:80W; Hfe, Min:5; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Application Code:PHVS; Current, Ib:4.0A; Current, Ic @ Vce Sat:4.0A; Current, Ic Max:8A; Current, Ic av:8.0A; Current, Ic hFE:5mA; Depth, External:4.82mm; Device Marking:MJE5852; Length / Height, External:30.02mm; Pins, No.…
150,00 r
от 10 шт. 132,00 q
от 27 шт. 113,00 q
от 50 шт. 104,00 q
291 шт.
(на складе)
Еще предложения
Купить