Datasheet для MJD50T4G (ONS)

В корзину Наименование
Артикул
Производитель Описание Цена, руб. Наличие В корзину
MJD50G
Арт:278369
PDF ИНФО
On Semiconductor TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:400V; Current, Ic Continuous a Max:1A; Voltage, Vce Sat Max:1V; Power Dissipation:1.56W; Hfe, Min:25; ft, Typ:10MHz; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Application Code:PGP; Current, Ic Max:1A; Current, Ic hFE:0.2A; Depth, External:10.28mm; Length / Height, External:2.38mm; Marking, SMD:MJD50; Power, Ptot:15W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…
25,80 r
от 52 шт. 22,60 q
от 150 шт. 19,40 q
от 300 шт. 17,80 q
Нет на складе
Еще предложения
Купить
MJD50T4G
Арт:259312
PDF ИНФО
On Semiconductor Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Continuous Collector Current, Ic:1A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):30V; Power Dissipation, Pd:15W; DC Current Gain Min (hfe):150
19,00 r
от 71 шт. 16,60 q
от 207 шт. 14,20 q
от 450 шт. 13,10 q
5917 шт. (на складе)
Еще предложения
Купить