Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1

Datasheet для MJD127T4G (ONS)

В корзину Наименование
Производитель
Описание Цена, руб. Наличие В корзину
MJD127
On Semiconductor
Арт:63753
PDF OBS
По запросу
Нет на складе
Еще предложения
Купить
MJD127G
On Semiconductor
Арт:187534
ИНФО PDF
DARLINGTON TRANSISTOR, D-PAK; Transistor Type:Bipolar Darlington; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:-2V; Power Dissipation:1.75W; Hfe, Min:1000; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Current, Ic Max:8A; Current, Ic av:8A; Current, Ic hFE:4A; Depth, External:10.5mm; Device Marking:MJD127; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:MJD127; Pins, No.…
19,40 r
от 75 шт. 17,00 q
от 225 шт. 14,60 q
от 450 шт. 13,40 q
1489 шт.
(на складе)
Еще предложения
Купить
MJD127T4G
On Semiconductor
Арт:308471
ИНФО PDF
Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; Continuous Collector Current, Ic:8A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):4V; Power Dissipation, Pd:25W По запросу
Нет на складе
Еще предложения
Купить