Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1

Datasheet для IRF630NSPBF (INFIN)

В корзину Наименование
Производитель
Описание Цена, руб. Наличие В корзину
IRF630NSPBF
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт:210545
ИНФО PDF OBS
MOSFET, N, 200V, 9.5A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.3A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:575pF; Case Style, Alternate:D2-PAK; Charge, Gate N-channel:35nC; Current, Iar:9.3A; Current, Idm Pulse:37A; Current, Idss Max:25чA; Depth, External:15.49mm; Energy, Avalanche Repetitive Ear:8.2mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:94mJ; Length / Height, External:4.69mm; Marking, SMD:IRF630NS; Power Dissipation:82W; Power Dissipation, on 1 Sq.… По запросу
Нет на складе
Еще предложения
Купить