EPC9002C: 10A @ 0 ~ 100V, Half H-Bridge(EPC9002C)

The EPC9002 development board is a 100 V maximum device voltage, 10 A maximum output current, half bridge with onboard gate drives, featuring the EPC2001 enhancement mode (eGaN®) field effect transistor (FET). The purpose of this development board is to simplify the evaluation process of the EPC2001 eGaN FET by including all the critical components on a single board that can be easily connected into any existing converter.

The EPC9002 development board is 2” x 1.5” and contains two EPC2001 eGaN FET in a half bridge configuration using Texas Instruments LM5113 gate driver, supply and bypass capacitors. The board contains all critical components and layout for optimal switching performance. There are also various probe points to facilitate simple waveform measurement and efficiency calculation.

Файлы

Схемы и диаграммы

Быстро получите общее представление о схемотехнике решения

Тесты и Инструкции

Протестируйте плату по готовым тестам

Печатные платы и ПО

Ускорьте разработку по готовому дизайну

EPC9002C: 10A @ 0 ~ 100V, Half H-Bridge EPC9002C

Используемые компоненты

Производитель: Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
EPC2001C
EPC2001C
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2200750 ИНФО PDF AN RD DT
Доступно: 1414 шт. от 1 шт. от 524,40
Выбрать
условия
поставки
TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
EPC2001C от 1 шт. от 524,40
1414 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки

Сравнение позиций

  • ()