forward

Преобразователи мощности и инверторы для железнодорожного транспорта

Описание:
The following design, driven by the LM5023, takes an AC input, like the ones located in the common US power outlet, and generates 5V/12V out, 2A DC signal, outputs commonly used for USB connections.
Документация:
  • Схемотехника
  • BOM
  • Тестирование
Описание:

PMP9480 – типовое решение, в котором совмещен обратноходовой преобразователь и изолированный усилитель, что позволяет применить его не только как средство измерения напряжения и тока в линии, но и как готовый источник питания для промышленных систем. Данное решение поддерживает очень широкий диапазон входного постоянного напряжения от 10 В до 72 В (может питаться от любых батарей на 12/ 24/ 48 В или от любой стандартной промышленной шины питания с постоянным током) и имеет два изолированных выхода: 5 В х 350 мА (для питания контроллеров, усилителей, интерфейсов и т. д.) и 5 В х 150 мА (для питания изолированных усилителей, интерфейсов и т. д.). Маленький размер и невысокая стоимость делает решение еще более эффективным при использовании с Flyback или Pushpull преобразователями. В данном решении применен высокоточный изолированный усилитель AMC1200 с барьером из диоксида кремния (SiO2), который обладает высокой устойчивостью к магнитной интерференции.

 

Возможности:

  • Простое и недорогое устройство с малым количеством компонентов;
  • Отсутствие компенсации внешнего контура;
  • Отсутствие самонамагничивания;
  • Точное изменение тока и напряжения с изоляцией;
  • Защита от переходных процессов без дополнительной схемы;
  • Исключает необходимость использования внешних адаптеров в промышленных системах.

Документация:
  • Схемотехника
  • BOM
  • Тестирование
Описание:

В проекте TIDA-00555 от TI продемонстрировано использование AMC1100, полностью дифференциального изолирующего усилителя, в качестве аналогового внешнего интерфейсного аппаратного средства (AFE) измерения напряжения и тока. В нём демонстрируется измерение напряжений на входах в конфигурации с гальванической развязкой между входом и выходом и токов на входах в конфигурации с гальванической развязкой между каналами. Также в нём организована гальваническая развязка питания, благодаря чему он является полноценной системой измерения изолированных напряжений и токов. Данный AFE может быть использован в приложениях, в которых требуется замена токовых трансформаторов (CT) шунтами. Шунты и делители напряжения интегрированы в плату для прямого подключения входов по току и напряжению.

Данный базовый проект имеет характер аппаратного решения.

Возможности:

  • Интегрированные шунты и делители напряжения для лёгкого подключения
  • Входной сигнал обрабатывается посредством изолирующего усилителя (полностью дифференциального) с фиксированным коэффициентом усиления, высоким коэффициентом подавления синфазного сигнала и очень низкой нелинейностью
  • Три входных токовых канала гальванически развязаны
  • Три входных канала по напряжению имеют один общий изолированный источник питания
  • Точность измерения тока свыше ±0,5%
  • Точность измерения напряжения свыше ±0,5%

Возможность заказа
  • Заказать BOM
  • Заказать PCB
Документация:
  • Схемотехника
  • BOM
  • Топология платы
Описание:
Paralleling IGBT’s becomes necessary for power conversion equipments with higher output power ratings, where single IGBT cannot provide the required load current. This TI design implements a reinforced isolated IGBT gate control module to drive parallel IGBTs in Half bridge configuration. Paralleling IGBT’s introduces challenges at both gate driver (insufficient drive strength) as well as at system level in maintaining equal current distribution in both the IGBT’s while ensuring faster turn ON & turn OFF. This reference design uses Re-inforced isolated IGBT gate driver with integrated features like desaturation detection and soft turn off to protect the IGBT during fault conditions. Increased gate drive current (15A) is obtained through external BJT current booster stage without sacrificing the soft turn off feature. Further this design demonstrates the mechanism of avoiding gate current loops while operating IGBT’s in parallel.
Возможности:

Designed to drive parallel IGBT modules of 1200v rating with total gate charge’s upto 10µC Source\sink current ratings of upto 15 Apk with external BJT buffer stage IGBT short circuit protection using builtin DESAT and Adjustable soft turn-off time Built in common mode choke and emitter resistance for limiting emitter loop current 8000-Vpk VIOTM and 2121-Vpk VIORM reinforced isolation Very high CMTI of 100KV/us

Документация:
  • Схемотехника
  • BOM

Сравнение позиций

  • ()