Оптические модули
- Даташит
- Схемотехника
- BOM
- Топология платы
Данный базовый проект от Texas Instruments предназначен для демонстрации оптических характеристик драйвера лазера ONET1151L, трансимпедансного усилителя (TIA) ONET8551T с высоким коэффициентом усиления и ограничивающего усилителя ONET1151P. Он доступен в форм-факторе, совместимом с оптическим модулем стандарта 10,3125 Гбит/с SFP+ LR, и позволяет клиенту уменьшить время отладки благодаря наличию головной печатной платы стандарта SFP+, а также простого в использовании графического интерфейса пользователя. В дополнение к компонентам семейства ONET в данном базовом проекте используются микроконтроллер (МК) MSP430FR5728 для управления установкой, а также понижающий преобразователь TPS82693 в корпусе MicroSiP, предназначенный для подачи напряжения 2,85 В на МС с целью уменьшения рассеиваемой мощности модуля.
Данный базовый проект имеет характер аппаратно-программного решения.

- Реализован приёмопередатчик стандарта 10GBASE LR SFP+ с рассеиваемой мощностью менее 1 ВТ:
- уменьшенная рассеиваемая мощность компонентов (менее 1 Вт);
- низкое напряжение питания (2,85 В);
- высокая величина маски для приёмника и передатчика
- Позволяет клиенту уменьшить время отладки:
- включает в свой состав головную печатную плату стандарта SFP+ и простой в использовании графический интерфейс пользователя
- Схемотехника
- BOM
- Топология платы
- Тестирование
Базовый проект представляет собой решение устройства формирования сигнала для коммутаторов стандарта QSFP+ с портами на передней панели с поддержкой двух портов 40GbE, удовлетворяющих требованиям SFF-8431 к 40GbE (CR4/ SR4/ LR4) и 10GbE. Данный проект предназначен для использования с оптическими и пассивными/ активными медными кабелями. Он является своего рода «удлинителем» между переключающей специализированной микросхемой и портом QSFP+ на передней панели, что часто требуется для наиболее удалённых портов коммутаторов с инфраструктурой «Top-of-Rack» (ToR) или для встраиваемых промежуточных реализаций линейных карт QSFP+.
Данный базовый проект имеет характер аппаратного решения.

- Наращиваемая реализация QSFP+ с портами на передней панели с формированием сигнала для поддержки стандартов 40GbE/ 10GbE по оптическим и пассивным медным кабелям
- Является своего рода «удлинителем» между коммутатором и портом на передней панели, увеличивая ограничение по потерям в головном канале согласно nPPI/ SFF-8431 на величину до 3 раз
- Малопотребляющее бюджетное решение устройства формирования сигнала с портами на передней панели
- Предназначен для коммутаторов с инфраструктурой «Top-of-Rack» (ToR) и систем линейных карт
- Одно напряжение питания, отсутствие необходимости в прошивке, отсутствие необходимости в радиаторе, отсутствие необходимости в опорном тактовом сигнале
- Протестированный в лабораторных условиях пример программного обеспечения с прилагающимися тестовыми данными согласно спецификациям 40GbE/ 10GbE
- Даташит
- Схемотехника
- BOM
- Топология платы
Базовый проект имеет характер аппаратного решения.

- Простой дизайн модуля питания
- Общая площадь решения составляет менее 50 мм2
- Высокий выходной ток (до 2 А при входном напряжении от 5 В)
- Широкий диапазон входного напряжения (от 3 В до 15,2 В)
- Низкий уровень шума (амплитуда пульсаций выходного напряжения менее 10 мВ)
- Данное решение предназначено для работы при температуре окружающей среды до 125°C
- Даташит
- Схемотехника
- BOM
- Топология платы
Базовый проект имеет характер аппаратного решения.

- Высокое отрицательное выходное напряжение (-12 В)
- Общая площадь решения составляет менее 65 мм2
- Высокий выходной ток (400 мА)
- Низкий уровень пульсаций выходного напряжения (менее 0,5%)
- Диапазон входного напряжения от 3 В до 4,5 В
- Данное решение предназначено для работы при температуре окружающей среды до 125°C
- Даташит
- Схемотехника
- BOM
- Топология платы
Базовый проект имеет характер аппаратного решения.

- Простой дизайн модуля питания
- Общая площадь решения составляет менее 50 мм2
- Высокий выходной ток (до 1,5 А при входном напряжении от 7,5 В)
- Широкий диапазон входного напряжения (от 3 В до 11,5 В)
- Низкий уровень шума (амплитуда пульсаций выходного напряжения менее 10 мВ)
- Данное решение предназначено для работы при температуре окружающей среды до 125°C
- Даташит
- Схемотехника
- BOM
- Топология платы

- Eightchannels of programmable current, 200-mA range
- High channel density
- <1.5% total unadjusted error
- <120-µA offset error
- 3.4-µA RMS bandwidth-limited current noise
- Даташит
- Схемотехника
- BOM
- Топология платы

- Low solution costs
- Power stage (TPS63802) with small solution size
(< 30 mm²) - Power Stage (TPS63802) with low quiescent current
(11 μA) - Digital PI control
- Precise temperature control <0.1°C
- Даташит
- Схемотехника
- Програмное обеспечение
- BOM
- Топология платы