IRFD9110 (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. )

Наименование IRFD9110
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 8536
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

MOSFET, P DIL

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Current, Id Cont0.7A
Resistance, Rds On1.2ohm
Case StyleDIP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse5.6A
Pins, No. of4
Pitch, Lead2.54mm
Pitch, Row7.62mm
Power Dissipation1.3W
Power, Pd1.3W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V

IRFD9110PBF (VISH/IR)
Доступно 2914 шт. (под заказ)

MOSFET, P, DIL; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-100V; Current, Id Cont:0.7A; Resistance, Rds On:1.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:DIP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:5.6A; Pins, No.…

*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()