STY80NM60N (STMicroelectronics)

Наименование STY80NM60N
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 793631
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Конфигурация
Channel Mode

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Iс(25°C) 80 А
Rси(вкл) 40 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Pрасс 560 Вт

Производитель: ST
Даташит для STY80NM60N, STMicroelectronics
STY112N65M5 (ST)
Доступно 2854 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 96 А; Rси(вкл): 22 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 350 нКл

STY139N65M5 (ST)
от 2130,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3-S]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 130 А; Rси(вкл): 14...17 мОм; @Uзатв(ном): 8...10 В; Uзатв(макс): 25 В