IRF9Z24N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF9Z24N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF9Z24N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF9Z24N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 68574
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

MOSFET, P TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:12A; Resistance, Rds On:0.172ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:48A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:45W; Power, Pd:45W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:55V

IRF9Z24NPBF (INFIN)
от 46,20 Склад (1-2 дн)

MOSFET, P, -55V, -12A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-55V; Current, Id Cont:12A; Resistance, Rds On:0.172ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:48A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…