IRF1010E (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF1010E
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 67967
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:81A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:330A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:170W; Power, Pd:170W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:60V

IRF1010EPBF (INFIN)
от 38,60 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:81A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:330A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

STP65NF06 (ST)
от 51,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 60 А; Rси(вкл): 14 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 54 нКл