IRFI1010N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFI1010N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 67760
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont44A
Resistance, Rds On0.012ohm
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse290A
Pins, No. of3
Power Dissipation47W
Power, Pd47W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max55V

IRFI1010NPBF (INFIN)
от 76,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, FULLPAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:44A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:290A; Pins, No.…