STB13NM60N (STMicroelectronics)

Наименование STB13NM60N
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 670457
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Vgs th
Qg - Gate Charge
Конфигурация

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 650 В
Iс(25°C) 11 А
Rси(вкл) 0.28 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 25 В

IPB65R380C6 (INFIN)
Доступно 3528 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 700V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6

SPB11N60C3 (INFIN)
Доступно 7143 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

IPB60R330P6ATMA1 (INFIN)
от 81,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM

IPB60R380P6ATMA1 (INFIN)
от 76,00 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Infineons CoolMOS™ P6 product family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. Cool…

SPB11N60C3ATMA1 (INFIN)
Доступно 16974 шт. (под заказ)

MOSFET, N-CH, 650V, 11A, D2PAK

IPB60R380C6ATMA1 (INFIN)
Доступно 2928 шт. (под заказ)

600V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET, CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with Best-in-Class innovation. T…

В НАЛИЧИИ 1шт.
78,50 от 43 шт. 67,50 от 94 шт. 61,50
Расчет доставки...