IKW40N120H3FKSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IKW40N120H3FKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IKW40N120H3FKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 668325
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Монтаж
Технология
Серия
Минимальная рабочая температура

IKW40N120H3FKSA1 - High speed Duo Pack: IGBT in Trench and Field stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode.

Технические характеристики:

  • Channel Type N
  • Maximum Collector Emitter Voltage (V) 400
  • Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±6
  • Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) 4
  • Minimum Operating Temperature (°C) -40
  • Maximum Operating Temperature (°C) 150
  • Packaging Tube
  • Mounting Through Hole
  • Package Height (mm) 21.1(Max)
  • Package Length (mm) 16.03(Max)
  • Package Width (mm) 5.16(Max)
  • PCB changed 3
  • Tab Tab
  • Standard Package Name TO-247
  • Supplier Package TO-247
  • Pin Count 3
  • Lead Shape Through Hole
IKW40N120H3
INFINEON – новый лидер рынка IGBT
05/10/2016 | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

После присоединения компании International Rectifier к компании Infineon инновационные серии кремниевых IGBT TRENCHSTOP™5 и TRENCHSTOP™ Performance от Infineon были дополнены IGBT поколения Gen 6.2 от IR. Компания Infineon при этом заняла лидирующие позиции на мировом рынке IGBT как по объему выпуска, так и по технологическим решениям.

В НАЛИЧИИ 370шт.
417,00 от 9 шт. 357,00 от 19 шт. 328,00
Расчет доставки...