STB18NM80 (STMicroelectronics)

Наименование STB18NM80
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 661767
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Технология
Монтаж
Qg - Gate Charge

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 800 В
Iс(25°C) 17 А
Rси(вкл) 0.295 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Pрасс 190 Вт

SPB17N80C3 (INFIN)
от 194,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB17N80C3ATMA1 (INFIN)
от 213,00 Склад (1-2 дн)

800V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET, 800V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the port…