STB155N3LH6 (STMicroelectronics)

Наименование STB155N3LH6
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 660201
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Qg - Gate Charge
Конфигурация
Квалификация
Channel Mode

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 30 В
Iс(25°C) 80 А
Rси(вкл) 2.4...3.2 мОм
@Uзатв(ном) 5...10 В
Uзатв(макс) 20 В

IPB080N03L G (INFIN)
Доступно 2940 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB080N03LGATMA1 (INFIN)
Доступно 3776 шт. (под заказ)

20V-30V N-Channel Power MOSFET, With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and Energy Efficiency for discret…