STP260N6F6 (STMicroelectronics)

Наименование STP260N6F6
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 659553
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Серия
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Vgs th
Qg - Gate Charge
Конфигурация

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 60 В
Iс(25°C) 120 А
Rси(вкл) 2.4...3 мОм
@Uзатв(ном) 4...6 В
Uзатв(макс) 20 В

IRFB7530PBF (INFIN)
от 130,00 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Char…

IRFB3206PBF (INFIN)
от 80,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:210A; Resistance, Rds On:0.003ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:3206; Charge, Gate N-channel:120nC; Current, Idm Pulse:840A; Pins, No.…

IRFB7534PBF (INFIN)
Доступно 74 шт. (под заказ)

MOSFET MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB

SPB18P06PGATMA1 (INFIN)
Доступно 19777 шт. (под заказ)

20V-250V P-Channel Power MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…