SPW11N80C3FKSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

SPW11N80C3FKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) SPW11N80C3FKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование SPW11N80C3FKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 65951
RND Рекомендуется для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Серия
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Vgs th
Qg - Gate Charge
Конфигурация
Channel Mode

MOSFET, N, COOLMOS, TO-247

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ800V
Current, Id Cont6A
Resistance, Rds On1.5ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleSOT-93
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateTO-218
Current, Idm Pulse24A
Pins, No. of3
Pitch, Lead5.45mm
Power Dissipation125W
Power, Pd125W
Power, Ptot125W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max800V

STW13N80K5 (ST)
Доступно 4544 шт. (под заказ)

MOSFET POWER MOSFET

STW11NM80 (ST)
от 115,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В

В НАЛИЧИИ 367шт.
147,00 от 25 шт. 126,00 от 53 шт. 115,00
Расчет доставки...