STB120N4F6 (STMicroelectronics)

Наименование STB120N4F6
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 659496
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Vgs th
Qg - Gate Charge
Конфигурация
Квалификация

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 40 В
Iс(25°C) 80 А
Rси(вкл) 4 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 20 В