IRFR9024N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFR9024N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR9024N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR9024N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFR9024N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 61822
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

MOSFET, P D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.175ohm
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse44A
Marking, SMDIRFR9024N
Power Dissipation38W
Power, Pd38W
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max-4V

IRFR9024NTRPBF (INFIN)
от 20,20 Склад (1-2 дн)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-55V; Continuous Drain Current, Id:-11A; On Resistance, Rds(on):175mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:DPAK

IRFR9024NTRLPBF (INFIN)
Доступно 138711 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

IRFR9024NPBF (INFIN)
от 20,70 Склад (1-2 дн)

MOSFET, P, -55V, 11A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:11A; Resistance, Rds On:0.175ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V;…

STD10PF06T4 (ST)
Доступно 24598 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: P; Uси: 60 В; Iс(25°C): 10 А; Rси(вкл): 0...0.2 Ом; Uзатв(макс): 20 В; Qзатв: 16 нКл