IXTH24N50 (Ixys Corporation )

IXTH24N50, Ixys Corporation IXTH24N50, Ixys Corporation IXTH24N50, Ixys Corporation IXTH24N50, Ixys Corporation
Наименование IXTH24N50
Производитель Ixys Corporation (IXYS)
Артикул 61339
Макс. напряжение Vdss
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Channel Mode
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Количество транзисторов
Монтаж

MOSFET, N, TO-247

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont24A
Resistance, Rds On0.23ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range9453130
Case Style, AlternateSOT-249
Current, Idm Pulse96A
Pins, No. of3
Power Dissipation300W
Power, Pd300W
Resistance, Rds on Max0.23ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max500V
Voltage, Vgs th Max4V

STW19NM50N (ST)
от 43,90 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 550 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0...0.25 Ом; Uзатв(макс): 25 В; Qзатв: 34 нКл

STW20NK50Z (ST)
Доступно 12975 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 17 А; Rси(вкл): 0.27 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 85 нКл