IRFI1310N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFI1310N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFI1310N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 61184
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Vgs для измерения Rds(on)
Rd(on)

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont22A
Resistance, Rds On0.036ohm
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse140A
Pins, No. of3
Power Dissipation45W
Power, Pd45W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max100V

Производитель: INFIN
IRFI1310N.pdf
IRFI1310NPBF (INFIN)
от 67,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, 22A, TO-220FP; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:22A; Resistance, Rds On:0.036ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:140A; Pins, No.…