NTD5862NT4G (On Semiconductor)

Наименование NTD5862NT4G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 601904
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Qg - Gate Charge
Конфигурация

Power MOSFET 60V 90A 5.7 mOhm Single N Channel DPAK

IRFR1205 (INFIN)
Доступно 13 шт. (под заказ)

MOSFET, N D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:37A; Resistance, Rds On:0.02ohm; Case Style:TO-252 (D-Pak); Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:150A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR1205; Power Dissipation:69W; Power, Pd:69W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…

IRFR48ZPBF (INFIN)
Доступно 19606 шт. (под заказ)

MOSFET, N, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:42A; Resistance, Rds On:0.011ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:TO-252; Current, Idm Pulse:250A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR48ZPBF; Pins, No.…

STD30NF06T4 (ST)
от 48,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 28 А; Rси(вкл): 20...28 мОм; @Uзатв(ном): 4...6 В; Uзатв(макс): 20 В

NTD5413NT4G (ONS)
Доступно 2166 шт. (под заказ)

Power MOSFET 60V 30A 26 mOhm Single NChannel DPAK