IRF3315S (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3315S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF3315S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 54485
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Vgs для измерения Rds(on)

MOSFET, N D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont21A
Resistance, Rds On0.082ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse84A
Marking, SMDIRF3315S
Power Dissipation84W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd84W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds150V
Voltage, Vds Max150V
Voltage, Vgs th Max4V

Производитель: INFIN
IRF3315S.pdf
IRF3315STRLPBF (INFIN)
Доступно 8422 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

IRF3315SPBF (INFIN)
Доступно 3549 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 150V, 21A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:21A; Resistance, Rds On:0.082ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:84A; Marking, SMD:IRF3315S; Power Dissipation:84W; Power Dissipation, on 1 Sq.…