IRF7832 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF7832, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7832, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7832, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF7832
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 54479
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Vgs для измерения Rds(on)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Continuo

IRF7832TRPBF (INFIN)
Доступно 66816 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Low RDS(ON) at 4.5V VGS Fully C…

STS25NH3LL (ST)
Доступно 387 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 25 А; Rси(вкл): 3.5 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32 нКл

IRF7832PBF (INFIN)
Доступно 3547 шт. (под заказ)

MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:20A; Resistance, Rds On:0.004ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.32V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:160A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:IRF7832PBF; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…