IKW50N60TFKSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IKW50N60TFKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 543838
RND Рекомендуется для новых разработок
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Минимальная рабочая температура
Конфигурация
Монтаж
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Технология
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
  • IGBT Type Trench Field Stop
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
  • Current - Collector (Ic) (Max) 80A
  • Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
  • Power - Max 333W
  • Switching Energy 2.6mJ
  • Input Type Standard
  • Gate Charge 310nC
  • Td (on/off) @ 25°C 26ns/299ns
  • Test Condition 400V, 50A, 7 Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr) 143ns
  • Package / Case TO-247-3
  • Mounting Type Through Hole
  • Supplier Device Package PG-TO247-3

INFINEON – новый лидер рынка IGBT
05/10/2016 | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

После присоединения компании International Rectifier к компании Infineon инновационные серии кремниевых IGBT TRENCHSTOP™5 и TRENCHSTOP™ Performance от Infineon были дополнены IGBT поколения Gen 6.2 от IR. Компания Infineon при этом заняла лидирующие позиции на мировом рынке IGBT как по объему выпуска, так и по технологическим решениям.

В НАЛИЧИИ 58шт.
298,00 от 12 шт. 255,00 от 25 шт. 234,00
Расчет доставки...