NSS60601MZ4T1G (On Semiconductor)

Наименование NSS60601MZ4T1G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 543446
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Монтаж

6.0 A, 60 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor

STN1NK60Z (ST)
от 14,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 15 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 4.9 нКл

PBSS4350T.215 (NEX-NXP)
от 7,00 Склад (1-2 дн)

NSS60601MZ4T3G (ONS)
Доступно 19150 шт. (под заказ)

Биполярный транзистор с низким напряжением насыщения

В НАЛИЧИИ 625шт.
15,00 от 226 шт. 12,80 от 493 шт. 11,80
Расчет доставки...