IRFR3711Z (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFR3711Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR3711Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR3711Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFR3711Z
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 54122
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

Полевой транзистор. 20V. 93A.

Производитель: INFIN
IRFR3711Z.pdf
STD100N3LF3 (ST)
Доступно 1174 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 5.5 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 20 нКл

IRFR3711ZTRPBF (INFIN)
Доступно 34070 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantIndustry-leading qualityLow RDS(ON) at 4.5V VGSFully C…