MJD122 (On Semiconductor)

MJD122, On Semiconductor MJD122, On Semiconductor
Наименование MJD122
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 53368
OBS Снято с производства
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Ток коллектора Ic

TRANSISTOR, DARLINGTON D-PAK

Transistor TypePower Darlington
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max8A
Hfe, Min1000
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Ic Max8A
Current, Ic hFE4A
Depth, External10.5mm
Length / Height, External2.55mm
Marking, SMDMJD122
Power, Ptot20W
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo100V
Width, External6.8mm
ft, Min4MHz

MJD122T4G (ONS)
от 20,20 Склад (1-2 дн)

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor