IRFL024N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFL024N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 51188
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, N SOT-223

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont4A
Resistance, Rds On0.075ohm
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse11.2A
Marking, SMDFL024N
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max4V

IRFL024NTRPBF (INFIN)
от 19,40 Склад (1-2 дн)

Полевой транзистор. 55V. 4.0A.

IRFL024NPBF (INFIN)
Доступно 5911 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 55V, 4A, SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:4A; Resistance, Rds On:0.075ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:SOT-223; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:11.2A; Marking, SMD:FL024N; Power Dissipation:2.1W; Power, Pd:2.1W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:60°C/W; Transistors, No.…