FDB045AN08A0 (On Semiconductor)

Наименование FDB045AN08A0
Производитель On Semiconductor(ONS-FAIR)
Артикул 48518
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Серия
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Конфигурация
Channel Mode

MOSFET, N, SMD, TO-263AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ75V
Current, Id Cont80A
Resistance, Rds On0.0045ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-263AB
Termination TypeSMD

IPB144N12N3GATMA1 (INFIN)
Доступно 58297 шт. (под заказ)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 120V OptiMOS™ family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switchi…

IPB108N15N3GATMA1 (INFIN)
от 172,00 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

IPB123N10N3GATMA1 (INFIN)
от 72,50 Склад (1-2 дн)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

STB160N75F3 (ST)
Доступно 22805 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 75 В; Iс(25°C): 85 А; Rси(вкл): 3.7 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 110 нКл