IRF2807S (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF2807S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF2807S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF2807S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF2807S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 44881
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, N D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont82A
Resistance, Rds On0.013ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse280A
Marking, SMDIRF2807S
Power Dissipation200W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds75V
Voltage, Vds Max75V
Voltage, Vgs th Max4V

Производитель: INFIN
IRF2807S.pdf
STB75NF75T4 (ST)
Доступно 1811 шт. (под заказ)

MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 75 В; Iс(25°C): 80 А; Uзатв(макс): 20 В; Qзатв: 117 нКл; Pрасс: 300 Вт

IRF2807STRRPBF (INFIN)
Доступно 8904 шт. (под заказ)

MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC

IRF2807SPBF (INFIN)
от 64,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 75V, 82A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:75V; Current, Id Cont:82A; Resistance, Rds On:0.013ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:280A; Marking, SMD:IRF2807S; Power Dissipation:200W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

IRF2807ZSPBF (INFIN)
Доступно 12268 шт. (под заказ)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fast Switching 175°…

IRF2807STRLPBF (INFIN)
от 63,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC