DA112S1RL (STMicroelectronics)

Наименование DA112S1RL
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 446642
Рассеиваемая мощность пиковая Pppm
Количество линий
Полярность
Напряжение ограничения Vclamp
Ток утечки при рабочем напряжении, мкА
Корпус
Серия
Обратное напряжение Vrwm
Кол-во выводов
Напряжение пробоя Vbr
Импульсный ток Ippm
Монтаж
Минимальная рабочая температоура
Максимальная рабочая температоура

Защитный диод -

Pрасс 730 мВт
Uогр(ном) 12 В
Uимп(макс) 18 В
Iраб 2 мкА
Iимп(макс) 12 А
Линий 6

DA112S1 (ST)
Доступно 20085 шт. (под заказ)

Защитная ИС - [SOIC-8-3.9]; Линий: 6; Uпорог: 18 В; Iутеч: 2 мкА; Примечание: DIODE ARRAY; Траб: -55...150 °C

ATSAMDA1-XPRO (MCRCH)
Доступно 37 шт. (под заказ)

The SAM DA1 Xplained Pro evaluation kit is ideal for evaluating and prototyping with the SAM DA1 ARM® Cortex®-M0+ based microcontrollers. Extension boards to the SAM DA1 Xplained Pro can be purchased individually. The ATSAMDA1-XPRO evaluation kit