MJD47T4G (On Semiconductor)

Наименование MJD47T4G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 435768
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж
Макс. рабочая частота

Биполярный транзистор общего назначения

Производитель: ONS
Даташит для MJD47T4G, On Semiconductor
MJD50T4G (ONS)
от 18,90 Склад (1-2 дн)

Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Continuous Collector Current, Ic:1A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):30V; Power Dissipation, Pd:15W; DC Current Gain Min (hfe):150