BC857CWT1G (On Semiconductor)

Наименование BC857CWT1G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 433156
Монтаж
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Частота перехода ft
Конфигурация
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов

Биполярный транзистор общего назначения

BC857CW.115 (NEX-NXP)
от 0,96 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, SOT-323-3

BC847CW.115 (NEX-NXP)
от 0,97 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, NPN, SOT-323

BC847CWT1G (ONS)
Доступно 2807264 шт. (под заказ)

Биполярный транзистор общего назначения

BC847CWH6327 (INFIN)
Доступно 106253 шт. (под заказ)

BC847CWT3G (ONS)
Доступно 676800 шт. (под заказ)

Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR

BC847CW.135 (NEX-NXP)
Доступно 1502201 шт. (под заказ)