IRFR3411 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR3411
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 43169
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)

Полевой транзистор. 100V. 32A.

IRFR3411PBF (INFIN)
от 36,40 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, 32A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:32A; Resistance, Rds On:0.044ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

IRFR3710ZPBF (INFIN)
от 44,30 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, D-PAK TUBE 75; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:42A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:TO-252; Current, Idm Pulse:220A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR3710ZPBF; Pins, No.…

IRFR3411TRPBF (INFIN)
Доступно 17774 шт. (под заказ)

POWER MOSFET, 20V-300V, N-CHANNEL

STD25NF10T4 (ST)
Доступно 7768 шт. (под заказ)

MOSFET, N CH, 100V, 25A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):33mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Operating ;RoHS Compliant: Yes