IRF6607 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6607
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 42172
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Напряжение для измерения Rds(on)

Полевой транзистор. 30V. 27A.

IRF6607TR1 (INFIN)
от 65,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, DIRECTFET, MT; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:95A; Resistance, Rds On:4.4mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:MT; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:6930pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:54nC; Current, Idm Pulse:220A; Depth, External:6.35mm; IC Package (Case style):MT; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6607; Pins, No.…