IRGP30B60KD-E (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRGP30B60KD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP30B60KD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRGP30B60KD-E
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 41132
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус

IGBT-транзистор+диод. 600V. 60A.

IRGP30B60KD-EP (INFIN)
Доступно 8038 шт. (под заказ)

IGBT, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:60A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V; Case Style:TO-247AD; Current, Icm Pulsed:120A; Power, Pd:304W; Time, Rise:39ns; Voltage, Vceo:600V