IRF8010 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF8010
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 41127
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET: N, 100 В, Q1: N, 15mΩ / 10V, 80 А

IRFB4610PBF (INFIN)
от 70,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:73A; Resistance, Rds On:11mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:3550pF; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Idm Pulse:290A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:370mJ; Pin Configuration:a; Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S; Pins, No.…

STP80NF10 (ST)
от 82,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 15 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 140 нКл

IRFB4410ZPBF (INFIN)
от 62,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:97A; Resistance, Rds On:0.009ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4410; Charge, Gate N-channel:83nC; Current, Idm Pulse:390A; Pins, No.…

IRF8010PBF (INFIN)
от 68,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:80A; Resistance, Rds On:0.015ohm;…