RFP50N06 (On Semiconductor)

Наименование RFP50N06
Производитель On Semiconductor(ONS-FAIR)
Артикул 40197
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Конфигурация
Channel Mode

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont50A
Resistance, Rds On0.022ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse120A
Device MarkingRFP50N06
Pins, No. of3
Power Dissipation131W
Power, Pd131W
Resistance, Rds on Max0.022ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max60V
Voltage, Vgs th Max4V

STP55NF06 (ST)
от 24,10 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 50 А; Rси(вкл): 22 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 45 нКл

FQP50N06 (ONS-FAIR)
от 32,70 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Idm Pulse:200A; Device Marking:FQP50N06; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 264шт.
49,20 от 69 шт. 42,20 от 150 шт. 38,80
Расчет доставки...