IRGP35B60PD (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRGP35B60PD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP35B60PD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRGP35B60PD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 40089
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT-транзистор+диод. 600V. 40A.

IRGB20B60PD1PBF (INFIN)
от 142,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, 600V, 40A, TO-220AB; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V;…

IRGP35B60PDPBF (INFIN)
от 279,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, 600V, 40A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.15V;…

STGW30NC60WD (ST)
от 159,00 Склад (1-2 дн)

IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 30 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 80 нс; Диод Uпад: 1.6 В