IRGP50B60PD1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRGP50B60PD1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 38978
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT-транзистор+диод. 600V. 75A.

IRGP50B60PD1PBF (INFIN)
Доступно 1120 шт. (под заказ)

IGBT, 600V, 75A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:75A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V;…

IRGP50B60PD1-EP (INFIN)
Доступно 250 шт. (под заказ)

Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,