IRGB10B60KD (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRGB10B60KD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 38796
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT: 600 В, 22 А

IRGB10B60KDPBF (INFIN)
Доступно 4718 шт. (под заказ)

Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

STGP14NC60KD (ST)
от 65,50 Склад (1-2 дн)

IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 14 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 61 нс; Диод Uпад: 1.8 В