IRF7606 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF7606
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 37101
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, P MICRO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Current, Id Cont3.6A
Resistance, Rds On0.09ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleMicro8
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ520pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C50nC
Current, Idm Pulse19A
Depth, External5.03mm
Gfs, Min2.3A/V
Length / Height, External1.11mm
Marking, SMD7606
Pins, No. of8
Pitch, Lead0.65mm
Pitch, Row4.24mm
Power Dissipation1.8W
Power, Pd1.8W
Resistance, Rds on Max0.09ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Time, trr Typ43ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Min-1V
Width, External3.05mm
dv/dt5.0V/ns

IRF7606TR (INFIN)
Доступно 7308 шт. (под заказ)

Полевой транзистор. -30V. -3.6A.

IRF7606TRPBF (INFIN)
от 19,80 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…