IRF1310NS (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF1310NS
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 37028
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Сравнить В избранное

MOSFET, N D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont42A
Resistance, Rds On0.036ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse140A
Marking, SMDIRF1310NS
Power Dissipation160W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V

IRF1310NSTRLPBF (INFIN)
Доступно 30873 шт. (под заказ)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:42A; On Resistance, Rds(on):36mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:D2-Pak; Power Dissipation, Pd:160W

IRF1310NSPBF (INFIN)
Доступно 21260 шт. (под заказ)

MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC

IRF3710ZSPBF (INFIN)
от 81,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

STB35NF10T4 (ST)
от 42,10 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 40 А; Rси(вкл): 30 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В

Сравнение позиций

  • ()