IRFS23N20D (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFS23N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFS23N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFS23N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFS23N20D
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 36802
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

MOSFET: N, 200 В, Q1: N, 100mΩ / 10V, 24 А

Производитель: INFIN
IRFB17N20D.pdf
IRFS4227PBF (INFIN)
от 132,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:240V; Current, Id Cont:62A; Resistance, Rds On:26ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

IRFS23N20DTRLP (INFIN)
от 85,50 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Characterized Avalanche Voltage a…

IRFS23N20DPBF (INFIN)
Доступно 158 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 200V, 24A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:24A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5.5V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:96A; Marking, SMD:FS23N20D; Power Dissipation:3.8W; Power Dissipation, on 1 Sq.…