IRL530NS (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRL530NS
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 36785
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET, N LOGIC D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont17A
Resistance, Rds On0.1ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse60A
Marking, SMDL530NS
Power Dissipation79W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd79W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max2V

IRL530NSTRLPBF (INFIN)
Доступно 27245 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

IRL530NSPBF (INFIN)
Доступно 5287 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 100V, 17A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:17A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:60A; Marking, SMD:L530NS; Power Dissipation:79W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

IRL530NSTRRPBF (INFIN)
Доступно 1282 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…