MJD112T4G (On Semiconductor)

Наименование MJD112T4G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 362698
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Частота перехода ft
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота

Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

MJD112T4 (ST)
от 14,20 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц

MJD112G (ONS)
от 18,80 Склад (1-2 дн)

TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:2V;…