IRFB3307ZPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB3307ZPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 352954
RND Рекомендуется для новых разработок
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

N-ch MOSFET 75V 120A 5.8mOhm 79nC

Производитель: INFIN
Даташит для IRFB3307ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRFB3307ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IPP057N08N3GXKSA1 (INFIN)
от 71,00 Склад (1-2 дн)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supp…

SPD07N20GBTMA1 (INFIN)
Доступно 2167 шт. (под заказ)

MOSFET, N-CH, 200V, 7A, TO-252-3

SPD15P10PGBTMA1 (INFIN)
Доступно 25468 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

SPD30P06PGBTMA1 (INFIN)
Доступно 109356 шт. (под заказ)

20V-250V P-Channel Power MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

SPP15P10PLHXKSA1 (INFIN)
Доступно 19352 шт. (под заказ)

MOSFET, P CH, -100V, -15A, TO-220-3

В НАЛИЧИИ 2141шт.
77,00 от 44 шт. 66,00 от 96 шт. 60,50
Расчет доставки...