IRLR8256PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRLR8256PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRLR8256PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 349419
OBS Снято с производства
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET,N-CH 25V 81A DPAK

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ25V
Current, Id Cont25A
Resistance, Rds On5.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Pins, No. of3
Power, Pd63W
Voltage, Vgs th Max2.35V

Производитель: INFIN
IRLR8256PBF.pdf
IRLR8256TRPBF (INFIN)
Доступно 22703 шт. (под заказ)

20V-30V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Logic Level

IPD33CN10NGATMA1 (INFIN)
от 33,60 Склад (1-2 дн)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

IPD180N10N3GBTMA1 (INFIN)
Доступно 7047 шт. (под заказ)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

В НАЛИЧИИ 121шт.
42,80 от 75 шт. 36,70 от 150 шт. 33,70
Расчет доставки...